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No.0006 2017.9.19
部品テスター MK-328 製品レビュー
□1.MK-328 とは?
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MK-328
(実売価格3,000円)は、
MTester(LCR-T4)に似た動作をする部品測定器です。
表示や動作は異なるので、コピー商品ではないようです。
Ezm Electronics Studio という中国の会社が開発したようですが、
ネットで検索しても出てこないため詳細不明です。
MTesterとの最大の違いは、ケースに収められて基板剥き出しではないため、
テスターのように扱えることです。
裏にはスタンドも付いているため、斜めに立てて使用することもできます。
テストリード(プローブ)は、ICクリップとMTesterのようなICソケットタイプがあります。
どちらにでも自由に交換できるので、使いやすいほうを用いれば良いでしょう。
MK-328
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□2.MK-328 のできること
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MK-328は、部品の特性を測定することができます。
具体的には、
抵抗、コンデンサのキャパシタンスやESR、コイルのインダクタンスや等価直列抵抗、トランジスタ特性
、FET特性、ダイオード特性などが測定できるようです。
といっても、カーブトレーサのように本格的な測定ができる訳ではありません。あくまでも目安的な値が測定できます。例えば電子工作や修理などで、データシートのない部品の概要を知る手がかりや、新品の部品の簡易チェックなどで使えます。
測定方法は簡単で、部品をテストリードに繋げて[TEST]ボタンを押して電源を入れれば、
自動で部品が判別されて特性測定できます。
電源OFFも、一定時間経過後に勝手に切れます。
なお、一般的なテスターのような電圧や電流は、測定できません。
プローブ間に電圧を印加すると壊れますので注意が必要です。
(1) 内部電池の電圧
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起動時に、使用している電池の電圧が測定できます。
電圧が低いと、特にコンデンサで正しい値が出ないようです。
VCCは、内部マイコンの電源電圧のようです。
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(2) 抵抗測定
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抵抗値が測定できます。
純粋なレジスタンスなのか、それともインピーダンスなのかは不明ですが、
それらしい値が測定できます。写真は秋月で購入した47kΩのカーボン抵抗です。
仕様上は、0.01Ω 〜 50MΩ まで測定できるようです。
もしホントなら、かなり高性能なマルチメータに迫るスペックです。
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(3) コンデンサ測定
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キャパシタンス値が測定できます。ESR(等価直列抵抗)も測定できます。
ESRは、0.18μF を超える容量の時に、分解能0.01Ωで測定できるようです。
Vlossという値も出ますが、詳細不明です。
仕様では、5000pFを超える場合に測定でき、 「voltage loss after a load pulse」 とあるので過度特性の何かの損失値だと思われます。
写真は秋月で購入した0.1μFのムラタ製セラコンです。容量が低い場合は、nF表示になります。
もちろんアルミ電解コンデンサも測定できます。
写真は、旧サンヨーの 50V47μF です。
大容量コンデンサも測定できます。
写真は、ニチコン HE 16V2200μF です。
仕様上は、25pF 〜 100mF まで測定できるようです。
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(4) コイル測定
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インダクタンス値が測定できます。
写真は、10μH (Max:0.9A、0.13Ω at100kHz)の小電源用チップインダクタです。
チップ部品などICクリップで掴めない物は、ワニぐちクリップを介します。
少なくとも等価直列抵抗については、仕様に沿う値が出ています。
インダクタンス値は仕様の下限値ですので、正しい測定値としての表示なのかどうかは分かりません。
仕様上は、0.01mH 〜 20H まで測定できるようですが、精度は良くないと明記されています。
この範囲のコイルは持っていないので、実力は不明です。
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(5) NPNトランジスタ
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トランジスタの値が測定できます。ピンアサインも自動判定されます。
写真は、2SC1815 GR です。
GRのhFEは200〜400ですので、ほぼTypical値です。
ピンアサインも仕様通りに正しく認識されています。
VbeとIeも仕様に沿った測定値であることがわかります。
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(6) PNPトランジスタ
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写真は、2SA1015 GR です。
GRのhFEは200〜400ですので、とりあえず範囲内です。
ピンアサインも仕様通りに正しく認識されています。
VbeとIcも仕様に沿った測定値であることがわかります。
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(7) 他のトランジスタ
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ピン配はECB固定なんだから、判別もなにもないでしょ?
と思うかもしれませんので他のトランジスタも測定してみます。
写真は、S9013 H というNPNトランジスタで、中国製品に昔から広く使用されています。
数量に大きく左右されますが、2SC1815の1〜10%の値段で買えるようです。
日本メーカーの中国製品にも一般的に使用されています。
ピン配は EBC で、中国製のトランジスタでは標準的な配列です。
VCBO:40V、Ic=0.5A、HランクのhFEは、144〜202です。
測定結果は、hFEについてIランクの190〜300すら超えて仕様外ですが、中国製なのでこんなものでしょう。
ピン配は、EBCと正しく認識されていることが分かります。
S9012 H というPNPトランジスタも測定してみます。
同じく中国製品に昔から広く使用され、価格も同じように安いです。
ピン配も同じく EBC です。
VCBO:40V、Ic=0.5A、HランクのhFEは、144〜220です。
正しくEBCと認識できていることが分かります。
同じくhFEについては仕様外ですが、こんなものだと思います。
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(8) ダイオード
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写真は、整流用ダイオード 1N4007 です。
仕様は、Vf:1.1V (at 1A)、Max:1A、寄生容量 15pF (at 1MHz、4V) です。
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(9) N MOS FET
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MOS FETも測定できます。ピンアサインも自動判定されます。
写真は、2SK4017 です。
端子配列は、GDS。
VDS=60V、ID=5A、RDS=0.09〜0.15Ω(at 4V、2.5A)、ゲートしきい値電圧 Vt(VGS) =1.3〜2.5V です。
ゲートしきい値電圧Vtは、仕様の範囲内です。
RDSが仕様の最大値より若干大きいので、うまく測定できていないようです。
単に分解能の問題のような気がしますが、目安にはなると思います。
Cgについては、仕様に Junction capacitance としか書いていないため詳細が不明ですが、恐らくGD間とGS間の容量を足した入力容量を指しているのだと思われます。仕様のtypicalでは730pFとなっていますので、分解能を考慮すれば測定できていると言えます。
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(9) P MOS FET
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写真は、2SJ681 です。
端子配列は、GDS。
VDS=60V、ID=5A、RDS=0.16〜0.25Ω(at 4V、2.5A)、ゲートしきい値電圧 Vt(VGS) =0.8〜2.0V です。
ゲートしきい値電圧Vtは、仕様の範囲内です。
RDSが仕様の最大値の2倍ですので、うまく測定できていないようです。
Cgについては、仕様のtypicalでは700pFとなっていますので、ほぼ仕様通りです。
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